跟随朱一明创业之路，看懂长鑫科技2016-2026千亿级半导体厂房建设版图

2026年7月27日，长鑫科技登陆科创板，成为本年度科技领域备受关注的大事。任何半导体制造产业的突围，都离不开高标准洁净厂房、配套公用工程等庞大基建作为支撑。

作为兆易创新、长鑫科技两大企业创始人，朱一明十年创业征程，一边攻坚克难推进存储芯片技术自主研发，一边稳步布局全国产业基地。从2016年"506项目"立项启动，到合肥两大晶圆厂区、北京研发基地、上海先进封装项目陆续落地，一场横跨十年的工程同步铺展。

一、求学归国，两次创业

朱一明，1972年7月出生于江苏盐城阜宁县，幼年时期，他便对机械、电子设备抱有浓厚兴趣，习惯拆解各类电子产品，养成求真务实、追根溯源的工科思维。1994年，朱一明从清华大学物理系毕业，继续在校攻读硕士学位。

上世纪90年代，国内半导体产业基础薄弱，核心元器件高度依赖海外进口。求学阶段，他长期扎根中关村，近距离观察国内硬件产业的短板，持续思考中国集成电路自主化发展路径。意识到学术研究与工业量产之间存在巨大鸿沟，朱一明选择远赴海外深造，取得纽约州立大学石溪分校电子工程硕士学位，随后扎根硅谷存储研发一线。

2001年，他入职Monolithic System Technology（MoST，后更名 MoSys），担任项目主管、核心主设计师，主导多款存储器芯片研发，深度掌握国际存储芯片研发体系。

2005年，朱一明放弃硅谷优厚待遇，带着SRAM发明专利与启动资金回国，创办北京创立芯技佳易，也就是兆易创新的前身，正式开启第一次创业。

创业初期，国内资本普遍偏好互联网赛道，周期长、投入高的芯片行业无人看好。2008年金融危机，企业遭遇严重资金链危机，海外企业提出收购方案，被朱一明断然拒绝。依靠全员压缩成本、政策扶持，团队熬过产业寒冬。

2009年，兆易创新实现SPI NOR Flash大规模量产；2010年，闪存产品销量突破1亿颗，打破海外厂商垄断。后续公司持续拓展赛道，推出国产GD32系列MCU产品，覆盖工业控制、安防、智能家居等场景。2016年，兆易创新在上交所主板上市，稳步成长为全球NOR Flash核心供应商。

就在兆易创新步入稳定发展阶段，朱一明却选择开启二次创业。

当时全球DRAM市场长期由三星、SK海力士、美光三家巨头垄断，大陆缺少具备规模化量产能力的DRAM工厂。为补齐国内高端内存芯片短板，构建自主可控的DRAM产业链，朱一明决定布局DRAM赛道，长鑫科技的蓝图就此展开。

想要实现芯片量产落地，首要任务就是建设符合国际标准的12英寸晶圆洁净厂房，一场为期十年的基建大幕正式拉开。

二、506项目落地，合肥一期厂房建成，国产DRAM起点

2016年5月6日，朱一明团队与合肥产投达成合作共识，启动代号"506项目"的12英寸DRAM晶圆制造基地规划。

同年6月13日，睿力集成电路有限公司注册成立，作为项目投资主体，也就是长鑫科技集团前身。项目一期规划总投资180亿元，远期整体基地规划总投资超1500亿元。

2017年3月，合肥经开区空港示范区，长鑫合肥基地一期（Fab1，506项目）正式开工。项目基建EPC发包方（厂房建设单位）：合肥长鑫集成电路有限责任公司；

产线投资主体：睿力集成电路有限公司（现长鑫科技集团股份有限公司）；晶圆产线运营主体：长鑫存储技术有限公司。

EPC总承包单位：信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司（十一科技，太极实业子公司），2016年11月签订总承包合同，合同金额66.87亿元，合同工期500日历天。

厂区占地约105公顷；主厂房建筑面积34万㎡，洁净净化面积6.3万㎡；规划产能12万片/月（12英寸DRAM晶圆）。建设范围包含晶圆生产主厂房、研发楼、综合动力站、化学品仓库、废水处理站及全套厂务公用配套工程。

专项洁净工程分包参建单位：亚翔集成、柏诚股份、江苏苏净、金螳螂洁净等。其中亚翔集成承接H03工艺动力系统包；柏诚股份承接H02测试栋洁净室机电系统工程。

2018年1月，一期主厂房土建结构完工，厂区启动光刻机、刻蚀机等核心半导体设备进场安装；同年7月，项目顺利流片，产出8GbDDR4工程样品；2019年9月实现产品正式量产。

2019年9月20日，8GbDDR4芯片正式实现量产，标志中国大陆DRAM产业实现重大从零到一的突破。

厂房建设推进的同时，朱一明做出关键抉择。

2018年7月，他辞去兆易创新总经理职务，仅保留董事长职位，全职扎根合肥，出任长鑫董事长兼CEO，并对外作出表态：在项目盈利之前，不领取一分钱薪酬和奖金。

一边推进厂房建设、设备调试，一边搭建研发团队、洽谈专利授权，基建与技术双线并行。

2019年12月，长鑫完成奇梦达DRAM专利许可签约，搭建合规的技术底座。

三、持续扩产布局，合肥新桥二期基地建设全面推进

随着合肥一期产线顺利量产，市场需求持续增长，产能扩建规划提上日程。长鑫新桥存储技术有限公司作为项目主体，启动合肥基地二期（Fab2）建设。

建设单位：长鑫新桥存储技术有限公司

EPC总承包单位：信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司，2021年8月正式中标，未税中标金额50.52亿元，合同工期667日历天。

项目坐落于合肥经开区空港示范区长鑫厂区二期地块，占地36.49万㎡，总建筑面积约57.5万㎡，规划新增产能10万片/月12英寸晶圆，主要面向DDR5、LPDDR5产品研发生产，项目取得LEED金级绿色建筑认证。

2021年1月，项目公司长鑫新桥注册成立；2021年6月，项目正式奠基启动；2022年6月，二期主厂房完成结构封顶。

专项工程方面，亚翔集成承接二期无尘室系统包B，柏诚股份负责FAB工艺管线二次配工程，中建安装中标综合动力站机电总包工程。项目施工完成后，自2025年起逐步分期建成投产，持续扩充长鑫12英寸晶圆制造产能。

四、全国产业布局：北京研发基地、上海先进封装项目启动建设

在合肥两大晶圆厂区建设之外，朱一明主导长鑫开启跨区域产业布局，打造"制造基地+研发中心+先进封装"一体化产业版图。

北京亦庄DRAM研发及量产基地。

建设单位：长鑫集电（北京）存储技术有限公司

项目选址北京经济技术开发区，核心定位为研发实验线，重点面向车规级、工业级DRAM研发生产。主要施工总包单位包含中建一局集团建设发展有限公司、世源科技工程有限公司。

2020年6月，北京基地一期项目启动；2021年12月，二期项目启动扩建。2022年1月，北京一期试产线顺利通线，具备研发流片能力。基地一期用地约10万㎡，配套洁净厂房、动力公用设施，持续分阶段扩建，与合肥制造基地形成南北协同。

上海浦东HBM先进封装项目。

随着AI算力产业兴起，先进封装成为存储产业链重要环节，长鑫启动上海先进封装工厂规划。

建设单位：芯浦天英智能科技（上海）有限公司（长鑫科技全资子公司）

项目选址上海市浦东新区金桥南区，固定资产总投资不低于171.41亿元，土地面积130704㎡，规划月封装3万片晶圆，主攻HBM高端存储封装产品。

2024年6月，企业签署土地出让合同，计划同年8月启动开工，规划2026年年中建成投产。

五、十年沉淀，登陆科创板开启全新发展

历经十年持续建设，长鑫完成合肥两座12英寸晶圆制造厂区、北京研发量产基地、上海先进封装工厂的全国布局。一座座高标准洁净厂房落地，为国产DRAM技术迭代、产能爬坡提供硬件支撑。

产业发展的周期波动里，长鑫持续依托已建成厂区推进工艺升级。

2023年企业启动股份制改造，睿力集成电路正式更名为长鑫科技集团股份有限公司，全面筹备科创板上市。2024年DDR5芯片实现规模化量产；2025年推出LPDDR5X移动存储产品，企业实现年度盈利。

2026年7月27日，长鑫科技正式登陆科创板。本次上市募集资金总额295亿元，资金投向包含现有量产线技术改造、DRAM技术升级、前瞻存储技术研发。

截至2026年长鑫科技登陆科创板之际，公司在合肥、北京布局三座已投产12英寸DRAM晶圆制造工厂。依托上市募集资金，企业现阶段重心聚焦现有厂区产线升级与产能爬坡；面向长远发展，业界也持续关注其合肥三期、上海高端存储基地等扩产规划落地进程。

结语

从2016年"506项目"蓝图落笔，到2026年长鑫登陆科创板，朱一明十年创业之路，既是一场存储芯片技术的突围战，也是一场漫长的半导体超级工程攻坚战。

半导体晶圆工厂不同于普通工业建筑，超大面积洁净室、特种气体系统、纯水系统、防微振结构、复杂公用配套工程，对工程建设有着极高标准。遍布合肥、北京、上海的各大产业基地，不只是一栋栋厂房，更是国产存储产业稳步前行的有利支撑。